龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供了一种适用于InAsGaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAsGaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
主权项：1.一种适用于InAsGaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，其特征在于，包括：若干个陷光单元；所述陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；所述若干纳米线的一端与所述四棱锥台的上表面相接触；所述若干纳米线为弯曲状态；其中，每一个所述纳米线与所述四棱锥台的上表面相接触的一端的第一弯曲角度和每一个所述纳米线远离所述四棱锥台上表面的一端的第二弯曲角度均在预设范围内，且所述第一弯曲角度小于所述第二弯曲角度，所述预设范围为0°-45°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号