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申请/专利权人：西北工业大学深圳研究院
摘要：本申请涉及半导体器件技术，公开了一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器，包括：探测器主体、阳极和阴极；其中，阳极为设置在探测器主体顶面的圆形电极，且圆心位于顶面中心；阴极包括覆盖探测器主体底面的平面电极、包裹探测器主体侧面的侧面环电极和环绕阳极周围的环状电极；环状电极内环与阳极之间具有第一间距、环状电极外环与探测器主体顶面侧边之间具有第二间距，且环状电极与探测器主体顶面之间设有绝缘层；阳极施加的正偏压高于环状电极施加的正偏压；侧面环电极连接平面电极，并与平面电极接地。本申请旨在提出一种能提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器，并兼具高电荷收集能力。
主权项：1.一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器，其特征在于，包括：探测器主体、阳极和阴极；其中，阳极为设置在探测器主体顶面的圆形电极，且圆心位于顶面中心；阴极包括覆盖探测器主体底面的平面电极、包裹探测器主体侧面的侧面环电极和环绕阳极周围的环状电极；环状电极内环与阳极之间具有第一间距、环状电极外环与探测器主体顶面侧边之间具有第二间距，且环状电极与探测器主体顶面之间设有绝缘层；阳极施加的正偏压高于环状电极施加的正偏压；侧面环电极连接平面电极，并与平面电极接地；所述探测器主体为长方体，且长方体顶面、底面为正方形，长方体高度为正方形边长的12；所述圆形电极的直径为正方形边长的110~15；侧面环电极的高度至少为长方体高度的45；环状电极内环到顶面中心处的距离为正方形边长的18、环状电极外环到顶面中心处的距离为正方形边长的14~310；所述第二间距最短为正方形边长的15。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学深圳研究院 一种提高全能峰峰形特征的准半球形CdZnTe探测器
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