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申请/专利权人：江苏尚飞光电科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种雪崩光电二极管阵列探测器，包括第一导电类型衬底层、PN结、隔离结构、至少一阳极引出端及阴极引出端，其中，第一导电类型半导体层位于第一导电类型衬底层上，PN结位于第一导电类型半导体层中，且PN结在水平面上的投影具有间隔区域；隔离结构位于第一导电类型半导体层中，并位于PN结间隔区域，且隔离结构不与PN结接触。本发明中，单像素的PN结在水平面上的投影具有间隔区域，这样单像素的PN结宽度总和减少，由于整个PN结区域及PN结之间的区域都可以吸收入射光子，且由于重掺杂的第二导电类型掺杂层的减少会提高部分短波长光子的吸收，所以不会影响雪崩光电二极管的光子探测效率，且同时降低了单像素的暗电流或暗计数率。
主权项：1.一种雪崩光电二极管阵列探测器，包括多个单像素结构，其特征在于，所述单像素结构包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型半导体层，位于所述第一导电类型衬底层上；PN结，位于所述第一导电类型半导体层中并包括自下而上依次设置的第一导电类型掺杂层及第二导电类型掺杂层，所述第一导电类型掺杂层的掺杂浓度高于所述第一导电类型半导体层的掺杂浓度，所述第二导电类型掺杂层的掺杂浓度高于所述第一导电类型掺杂层的掺杂浓度，所述第一导电类型为N型或P型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，其中，所述PN结在水平面上的投影具有间隔区域；隔离结构，位于所述第一导电类型半导体层中，并位于所述间隔区域，且所述隔离结构不与所述PN结接触；至少一阳极引出端，位于所述第一导电类型半导体层上并与所述第二导电类型掺杂层接触；阴极引出端，位于所述第一导电类型衬底层下方。
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权利要求：
百度查询： 江苏尚飞光电科技股份有限公司 一种雪崩光电二极管阵列探测器
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