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申请/专利权人：哈尔滨理工大学
摘要：本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用，属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中，超声搅拌2h，加入聚偏氟乙烯粉末，超声搅拌反应2h；铺膜，烘干；热压。本发明用于制作电容器和储能器件。
主权项：1.一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料，其特征在于，所述复合材料的掺杂相是用硅烷偶联剂KH550改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为规则圆球状，以聚偏氟乙烯作为基体；所述纳米钛酸铋钠的直径为150nm～200nm；纳米钛酸铋钠是按下述步骤制备的：S1:将0.003mol五水硝酸铋与0.006mol钛酸四丁酯，溶解在15mL去离子水中并搅拌均匀；S2:再将浓度为12molL的氢氧化钠溶液缓慢滴定到步骤S1获得的混合液中，然后置于磁力搅拌器上搅拌30min，直到沉淀完全，得到水热反应前驱体；S3:将S2获得的前驱体，转移至高压反应釜，使高压釜里的填充度保持在60%，将高压反应釜在180℃的真空烘箱中反应24h；S4:反应结束后在反应釜中自然冷却至室温，然后取出水热合成的产物用蒸馏水反复离心洗涤，直至洗涤后的溶液pH值达到7-8，再将得到的粉体放在真空干燥箱内80℃下干燥24h，得到球型钛酸铋钠粉体；掺杂相的含量是聚偏氟乙烯质量的15%-30%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨理工大学 一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用
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