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申请/专利权人：星科金朋私人有限公司
摘要：公开了在多层RDL中形成应力缓解通孔的方法和半导体器件。半导体器件具有基底和形成在基底之上的第一RDL。在第一RDL之上形成第二RDL，其中第一导电通孔电连接第一RDL和第二RDL，并且第一开口在第一导电通孔周围形成在第二RDL中以用于应力缓解。形成在第二RDL中的第一开口可以具有半圆形状或多个半圆或分段。在第二RDL之上形成第三RDL，其中第二导电通孔电连接第二RDL与第三RDL，并且第二开口在第二导电通孔周围形成在第三RDL中以用于应力缓解。第一开口从第二开口偏移。可以在第一导电通孔周围形成多个第一开口以用于应力缓解，每开口彼此偏移。
主权项：1.一种半导体器件，包括：基底；形成在基底之上的第一重分布层RDL；以及形成在第一RDL之上的第二RDL，其中第一导电通孔电连接第一RDL和第二RDL，并且第一开口在第一导电通孔周围形成在第二RDL中以用于应力缓解。
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权利要求：
百度查询： 星科金朋私人有限公司 在多层RDL中形成应力缓解通孔的方法和半导体器件
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