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申请/专利权人：江西求是高等研究院
摘要：本发明提供了一种Micro‑LED显示芯片制备方法及Micro‑LED显示芯片，制备方法包括：在生长衬底上沉积GaN外延层和第一键合金属层；在驱动电路基板表面沉积第二键合金属层后与第一键合金属层键合；去除生长衬底及部分GaN外延层后进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的Micro‑LED单元；沉积钝化层和N电极层，得到若干独立的发光台面；在相邻的两发光台面之间沉积环形的金属电极，在金属电极与发光台面之间填充含有量子点和纳米荧光粉的粘性光学涂层；制备微透镜阵列后贴合在粘性光学涂层上，以得到目标Micro‑LED显示芯片。本申请的Micro‑LED显示芯片为全彩显示芯片，发光亮度强、效率高。
主权项：1.一种Micro-LED显示芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，提供一生长衬底，在所述生长衬底上沉积GaN外延层，在所述GaN外延层的表面沉积第一键合金属层；步骤二，提供一驱动电路基板，在所述驱动电路基板表面沉积第二键合金属层，并将所述第一键合金属层和所述第二键合金属层进行键合，以形成外延片；步骤三，去除所述生长衬底及部分所述GaN外延层，在去除部分所述GaN外延层的外延片表面进行光刻和刻蚀，以形成若干相互独立的Micro-LED单元；步骤四，在形成若干所述Micro-LED单元的外延片表面及所述Micro-LED单元上沉积钝化层和N电极层，得到若干独立的发光台面，所述N电极层用于将若干相互独立的Micro-LED单元电性连通；步骤五，在相邻的两所述发光台面之间沉积环形的金属电极，所述金属电极的底部与所述N电极层电性连通，在所述金属电极与所述发光台面之间填充含有量子点和纳米荧光粉的粘性光学涂层；步骤六，制备微透镜阵列，所述微透镜阵列中微透镜的数量与所述发光台面的数量对应，通过对位贴合工艺将所述微透镜阵列转移至所述粘性光学涂层表面，以得到目标Micro-LED显示芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西求是高等研究院 Micro-LED显示芯片制备方法及Micro-LED显示芯片
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