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热流传感器、绝缘薄膜及其制备方法 

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申请/专利权人:中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司;中冶赛迪集团有限公司

摘要:本发明属于薄膜制备技术领域,涉及一种热流传感器、绝缘薄膜及其制备方法,该制备方法基于电子束蒸镀系统,包括以下步骤:设定电子束蒸镀系统的镀膜程序,具体包括对沉积腔室温度、镀膜起始真空度、蒸镀时电子束功率、镀率以及工艺气流量的参数设定;所述沉积腔室温度设为100~300℃,镀膜起始真空度不低于3.0*e‑5Torr,蒸镀时电子束功率设为9kW,镀膜功率输出范围控制在5%~30%,镀率设置为工艺气流量设置为10sccm~100sccm,工艺气为氧气、氨气或氮气中的一种多种组合;将需要沉积的基片粘贴固定在沉积腔室内穹顶镀锅上,添加蒸镀源材料,关闭腔沉积腔室,启动镀膜程序;镀膜结束后,待沉积腔室冷却后将沉积了绝缘薄膜的基片取出,并置于高温炉内进行退火处理。

主权项:1.一种绝缘薄膜的制备方法,该制备方法基于电子束蒸镀系统,其特征在于,具体包括以下步骤:步骤1.设定电子束蒸镀系统的镀膜程序,具体包括对沉积腔室温度、镀膜起始真空度、蒸镀时电子束功率、镀率以及工艺气流量的参数设定;所述沉积腔室温度设为100~300℃,镀膜起始真空度不低于3.0*e-5Torr,蒸镀时电子束功率设为9kW,且镀膜功率输出范围控制在5%~30%,镀率设置为工艺气流量设置为10sccm~100sccm,且工艺气为氧气、氨气或氮气中的一种多种组合;步骤2.将需要沉积的基片粘贴固定在沉积腔室内穹顶镀锅上,添加蒸镀源材料,关闭腔沉积腔室,启动镀膜程序;步骤3.镀膜结束后,待沉积腔室冷却后将沉积了绝缘薄膜的基片取出,并置于高温炉内进行退火处理。

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权利要求:

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