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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明公开了一种用于检测硫化氢气体的气敏传感器及其制备方法。用于检测硫化氢气体的气敏传感器，包括：硅衬底、电极片以及覆盖在所述电极片表面的敏感层，所述敏感层为SnOSnO2异质结敏感层。所述SnOSnO2异质结敏感层包括SnO薄膜层和覆盖在所述SnO薄膜层表面用于与硫化氢气体接触的SnO2薄膜层。本发明的气敏传感器采用了SnOSnO2异质结作为敏感层，这种独特的结构设计不仅提高了传感器对H2S气体的灵敏度，而且拓宽了其检测范围。SnOSnO2异质结的形成，通过精确控制制备过程中的化学组成和微观结构，实现了对H2S气体的高效吸附和快速反应。现有的气敏传感器往往需要在较高温度下工作以获得较好的灵敏度，而本发明的传感器能够在室温条件下快速响应低至1PPM的H2S气体。
主权项：1.一种用于检测硫化氢气体的气敏传感器，包括电极片，其特征在于，所述电极片的表面覆盖有敏感层，所述敏感层为SnOSnO2异质结敏感层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 一种用于检测硫化氢气体的气敏传感器及其制备方法
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