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光刻模板、晶圆及光刻图形测量方法 

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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯南方集成电路制造有限公司

摘要:本发明实施例提供一种光刻模板、晶圆及光刻图形测量方法,所述光刻模板,包括:器件区和切片区;其中,所述器件区内包括器件图形和与所述器件图形相邻的对准标记;所述对准标记包括对准区和过渡区,所述过渡区邻接所述对准区,且,所述过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形。其中,基于过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形,使得本发明实施例中的对准标记易于识别,进而避免对应的OVL测量方法产生偏差,提高了OVL测量的精度。

主权项:1.一种光刻模板,其特征在于,包括:器件区和切片区;其中,所述器件区内包括器件图形和与所述器件图形相邻的对准标记;所述对准标记包括对准区和过渡区,所述过渡区邻接所述对准区,且,所述过渡区内的图形不同于所述对准区内的图形。

全文数据:

权利要求:

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