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申请/专利权人：首都师范大学
摘要：本发明提供了一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法。该基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于绝缘衬底上。相比于其他光控太赫兹波调制薄膜，例如MoTe2薄膜，本发明碲纳米线薄膜在较低的泵浦激光功率下，能够实现宽带调制，调制深度大、灵敏度高；同时制备成本低精度高，更适合于大规模工业生产。
主权项：1.一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米薄膜，形成于所述绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间；碲纳米线薄膜，形成于所述碲纳米薄膜上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 首都师范大学 基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法
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