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申请/专利权人：CMC材料有限责任公司
摘要：本发明提供一种化学‑机械抛光组合物，其包含：a氧化铈磨料粒子；b阳离子聚合物；c选自铵盐、钾盐及其组合的电导率调整剂；及d水，其中所述抛光组合物具有约3到约6的pH。本发明还提供一种使用本发明抛光组合物化学‑机械抛光衬底、尤其是包含硅氧化物、硅氮化物及多晶硅的衬底的方法。
主权项：1.一种化学-机械抛光组合物，其包含：a二氧化铈磨料粒子；b阳离子聚合物，其中所述阳离子聚合物包含选自以下的阳离子单体：N-乙烯基咪唑、丙烯酸2-二甲基氨基乙酯“DMAEA”、甲基丙烯酸2-二甲基氨基乙酯“DMAEM”、3-二甲基氨基丙基甲基丙烯酰胺“DMAPMA”、3-二甲基氨基丙基丙烯酰胺“DMAPA”、氯化3-甲基丙烯基酰胺基丙基-三甲基-铵“MAPTAC”、氯化3-丙烯基酰胺基丙基-三甲基-铵“APTAC”、氯化二烯丙基二甲基铵“DADMAC”、氯化2-丙烯酰氧基-N,N,N-三甲基乙胺鎓“DMAEA.MCQ”、氯化2-甲基丙烯酰氧基-N,N,N-三甲基乙胺鎓“DMAEM.MCQ”、丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯芐基氯“DMAEA.BCQ”、甲基丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯芐基氯“DMAEM.BCQ”、其盐及其组合；c选自铵盐、钾盐及其组合的电导率调整剂；及d水，其中所述抛光组合物具有约3到约6的pH，且其中所述抛光组合物具有至少170μScm的电导率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： CMC材料有限责任公司 用于硅氧化物、硅氮化物及多晶硅的选择性及非选择性CMP的以氧化铈为主的浆料组合物
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