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申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司

摘要：一种集成电路用单晶硅片局部平整度的控制方法，包括如下步骤：根据集成电路芯片制造对单晶硅片局部平整度的技术要求及抛光来料的技术规格，通过转动平整度计算方程，确定双面化学机械抛光中大盘转动速度和行星片转动速度；得到转动压力平整度最大值，通过压力平整度计算方程，压力平整度出现拐点时的理论压力平整度最大值；取理论压力平整度最大值和转动压力平整度最大值中的最小值，再通过压力平整度计算方程，确定实际工艺中的压力最大值。生产出大尺寸抛光硅片完全满足100nm及以下集成电路制程要求的局部平整度技术指标要求，尤其是28nm及以下集成电路先进制程需求。

主权项：1.一种集成电路用单晶硅片局部平整度的控制方法，根据集成电路芯片制造对单晶硅片局部平整度的技术要求及抛光来料的技术规格，通过转动平整度计算方程，确定双面化学机械抛光中大盘转动速度和行星片转动速度；得到转动压力平整度最大值，通过压力平整度计算方程，压力平整度出现拐点时的理论压力平整度最大值；取理论压力平整度最大值和转动压力平整度最大值中的最小值，再通过压力平整度计算方程，确定实际工艺中的压力最大值；其特征在于，包括如下步骤：第一步，根据客户对单晶硅片的技术要求，确定单晶硅片的局部平整度TTVspec；第二步，转动平整度TTVω符合方程1，TTVω＝TTVwafer·A·[arccotωup-ωplanet+B]n1式中，TTVω为大盘及行星片转动产生的单晶硅片局部平整度，简称为转动平整度；TTVwafer为来料TTV均值；A为转动贡献系数，经验取值为：A＝1.282；ωup为大盘转动速度；ωplanet为行星片转动速度；B为转动补偿常数，经验值为B＝20.85；n为转动指数，经验取值为：n＝1.56；当时，确定大盘转速为最低大盘转速，记为：ωup，min；当时，确定大盘转速为最高大盘转速，记为：ωup，max；方程1中ωup的取值在ωup，min和ωup，max之间；第三步，当确定实际工艺中大盘转动速度ωup，op后，根据方程1确定实际工艺中的转动平整度TTVω，op，转动压力平整度最大值符合方程2， 第四步，压力平整度TTVP符合方程3， 式中，K为压力贡献系数，经验取值为：K＝0.025；P为抛光压力；D为压力补偿常数，经验取值为：D＝0.13；C为抛光垫系数，经验取值为：C＝1.94；H为抛光垫硬度；σ为抛光垫泊松比；n为压力指数，经验取值为：n＝8.69；第五步，实际工艺中压力平整度最大值TTVP，max的取值为： 其中，为压力平整度出现拐点时的理论压力平整度最大值；第六步，根据方程3计算出实际工艺中压力最大值Pop，max，并按照压力最大值Pop，max确定生产工艺；

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