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申请/专利权人：成都汉芯国科集成技术有限公司

摘要：本发明涉及一种PMU芯片采用的FC倒装焊接工艺，属于半导体焊接技术领域，包括如下步骤：步骤1：共面性检测；步骤2：在PMU芯片上和芯片基板上涂敷粘合剂溶液；步骤3：对PMU芯片和芯片基板进行贴片；其中，自动共晶贴片机能够自动的上下移动，将PMU芯片上的凸点与芯片基板上的开孔进行准确的对位，使PMU芯片与芯片基板接触，驱动自动共晶贴片机下移；步骤4：对PMU芯片和芯片基板进行FC倒装焊；其中，采用脉冲加热的方式对PMU芯片上和芯片基板上涂敷粘合剂溶液进行加热，以及对PMU芯片上的凸点进行加热，PMU芯片上的凸点融化，实现了PMU芯片与芯片基板之间的焊接连接；本发明的有益效果：PMU芯片能够固定安装在芯片基板上。

主权项：1.一种PMU芯片采用的FC倒装焊接工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：共面性检测；其中，对PMU芯片和芯片基板分别进行共面性检测，将不符合要求的PMU芯片和芯片基板筛选出来；步骤2：在PMU芯片上和芯片基板上涂敷粘合剂溶液，为PMU芯片和芯片基板之间的贴片做准备；步骤3：对PMU芯片和芯片基板进行贴片；其中，自动共晶贴片机能够自动的上下移动，将PMU芯片上的凸点与芯片基板上的开孔进行准确的对位，使PMU芯片与芯片基板接触，驱动自动共晶贴片机下移，使PMU芯片与芯片基板紧密贴合，实现了PMU芯片与芯片基板之间的贴片；步骤4：对PMU芯片和芯片基板进行FC倒装焊接；其中，采用脉冲加热的方式对PMU芯片上和芯片基板上涂敷粘合剂溶液进行加热，以及对PMU芯片上的凸点进行加热，PMU芯片上的凸点融化，实现了PMU芯片与芯片基板之间的焊接连接；其中，在所述步骤4中，将所述芯片基板固定到固定结构上，所述固定结构为焊接盘，对芯片基板与所述PMU芯片之间的所述粘合剂溶液进行蒸发，粘合剂溶液的蒸发温度为220℃-250℃，粘合剂溶液的残留物0.2%，粘合剂溶液无卤素；所述脉冲加热的方式为：每隔60s对所述PMU芯片上的凸点进行升温，将PMU芯片上的凸点材料选为Au80Sn20金锡合金或Sn96.5Ag3.5锡银合金，对所述PMU芯片上的凸点进行升温；将所述PMU芯片和芯片基板放置在环保气体中进行脉冲加热，其中，所述环保气体为氢氮混合气体，所述氢氮混合气体的比例为：H2：N2＝5％：95％，或环保气体纯氮气。

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