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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属于光电极的技术领域，公开了一种rGO修饰的InGaN纳米柱光电极材料及其制备方法与应用。所述光电极材料包括Si衬底、Si衬底上设置的InGaN纳米柱层、InGaN纳米柱表面设置的rGO层；所述rGO层为二维纳米片材料。本发明还公开了光电极材料的制备方法。本发明使用rGO不仅拓宽了光电极材料的吸收光谱范围，有效钝化纳米柱的表面态，同时与InGaN纳米柱形成异质结构，有效降低起始电位，促进了电荷载流子的解离、传输及其在电极电解液界面发生氧化反应，大大提高了光电转换效率，从而为实现高效PEC水分解制氢提供了有效策略。本发明的电极材料用于制备光阳极，作为光电化学水分解制氢的光电阳极。
主权项：1.一种rGO修饰的InGaN纳米柱光电极材料，其特征在于：包括Si衬底，所述Si衬底上设置有InGaN纳米柱层，所述InGaN纳米柱表面设置有rGO层；所述rGO层为二维纳米片材料还原氧化石墨烯，具体是通过电化学沉积的方式在所述InGaN纳米柱上采用循环伏安法沉积二维纳米片GO，然后热还原得到。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种rGO修饰的InGaN纳米柱光电极材料及其制备方法与应用
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