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申请/专利权人：芯思杰技术(深圳)股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置包括蚀刻治具以及蚀刻机，蚀刻机包括蚀刻液缸以及喷嘴，蚀刻治具位于蚀刻液缸内，并能够在蚀刻液缸内旋转，喷嘴位于蚀刻治具的上方，且喷嘴用于喷洒蚀刻液，蚀刻治具包括治具本体，治具本体上开设有凹槽，凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域，且治具本体的边缘还形成有排液口。蚀刻方法包括将待蚀刻晶片放置在蚀刻装置内，使蚀刻治具在蚀刻液缸内旋转，以及将喷嘴打开对待蚀刻晶片喷洒蚀刻液，多余的蚀刻液会从排液口流出。针对如InPInGaAs非标准晶片碎片时，该蚀刻治具也同样适用，旋转时的离心力和凹槽的侧壁起到限位作用，满足非标准晶片的蚀刻工艺需求。
主权项：1.一种蚀刻治具，其特征在于，所述蚀刻治具用于安装在蚀刻机上并能够在蚀刻机上旋转，所述蚀刻治具包括治具本体，所述治具本体上开设有凹槽，所述凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域，且所述治具本体的边缘还形成有排液口；其中，所述凹槽的底壁形成的表面为圆弧面；所述治具本体的截面形状呈圆形。
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百度查询： 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法
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