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申请/专利权人：应用材料股份有限公司
摘要：本文中提供一种用于在芯片上提供更均匀的离子通量和离子角度分布以最小化由蚀刻轮廓变化引起的蚀刻产率损失的方法。在一些实施例中，一种系统可包含能够操作以在由腔室外壳包封的等离子体腔室内产生等离子体的等离子体源，其中等离子体源包括从腔室外壳的壁延伸到等离子体腔室中的等离子体整形器。等离子体整形器可包含耦合到腔室外壳的壁的整形器壁和连接到整形器壁的整形器端壁，整形器端壁界定朝向腔室外壳的壁延伸的凹口。
主权项：1.一种系统，包括：等离子体源，能够操作以在由腔室外壳包封的等离子体腔室内产生等离子体，其中所述等离子体源包括从所述腔室外壳的壁延伸到所述等离子体腔室中的等离子体整形器，其中所述等离子体源为射频电感耦合等离子体源，且其中所述等离子体整形器包括：整形器壁，耦合到所述腔室外壳的所述壁；以及整形器端壁，连接到所述整形器壁，所述整形器端壁界定朝向所述腔室外壳的所述壁延伸的凹口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料股份有限公司 控制等离子体源的离子通量分布的等离子体整形器
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