龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：第一阳光公司
摘要：本文描述了所提供的具有多晶II‑VI型半导体吸收体材料包括n‑型吸收体组合物并具有p‑型空穴接触层的光伏器件。描述了处理半导体吸收层和形成空穴接触层的方法。
主权项：1.一种串联光伏器件，所述串联光伏器件包括在下部子模块之上的上部子模块，其中所述上部子模块包括：基本上由CdSe组成的吸收层，其中：所述吸收层是n-型的；所述吸收层具有小于1x1017cm-3的n型载流子浓度；并且通过二次离子质谱法所测量，所述吸收层以在晶粒边界中等于或大于1x1013cm-3的水平在所述晶粒边界中包含氯；和与所述吸收层形成p-n结的空穴接触件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 第一阳光公司 基于硒化镉的光伏器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号