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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统，该半导体器件包括堆叠结构、栅线缝隙结构和隔离结构。堆叠结构包括交替层叠的栅极层和绝缘层，栅线缝隙结构沿堆叠结构的堆叠方向贯穿堆叠结构且沿第一方向延伸，第一方向与堆叠方向垂直。隔离结构连接栅线缝隙结构沿第一方向的两个端部，且沿堆叠方向贯穿堆叠结构，因此隔离结构可以对栅线缝隙结构端部周围的栅极层进行隔离，以隔离栅线缝隙结构两侧的栅极层。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：堆叠结构，包括交替层叠的栅极层和绝缘层；栅线缝隙结构，沿所述堆叠结构的堆叠方向贯穿所述堆叠结构，且沿第一方向延伸，所述第一方向与所述堆叠方向垂直；隔离结构，连接所述栅线缝隙结构沿所述第一方向的两个端部，且沿所述堆叠方向贯穿所述堆叠结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统
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