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具有V族掺杂的光伏器件用缓冲层 

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申请/专利权人:第一阳光公司

摘要:根据本文提供的实施方案,光伏器件可以包括与用V族掺杂剂p型掺杂的吸收层相邻的缓冲层。所述缓冲层可以具有与V族掺杂剂相容的多个层。

主权项:1.一种光伏器件,其包括布置在缓冲层上的吸收层,其中:所述吸收层具有第一表面和第二表面;所述吸收层包含镉和碲;所述吸收层掺杂有V族掺杂剂;并且所述缓冲层包括MnOx层,其中MnOx层具有的Mn用量是至少0.05µgcm2且小于或等于15µgcm2;所述缓冲层具有第一表面和与所述吸收层的第一表面相邻的第二表面;所述缓冲层包括布置在所述缓冲层的第一表面处的基础层和布置在所述缓冲层的第二表面处的界面层;所述MnOx层在所述吸收层的第一表面的200nm内;所述缓冲层的基础层包含锡氧化物;并且所述缓冲层的界面层由与所述缓冲层的基础层不同的材料构成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 第一阳光公司 具有V族掺杂的光伏器件用缓冲层

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