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申请/专利权人：汉斯韦尔(山东)物联技术有限公司

摘要：本发明涉及一种高稳硅差压传感器，包括隔离机构，隔离机构由圆柱状的隔离部A、圆筒状的延伸部组成，隔离部A的左端沿其轴向设有隔离部B，并在两者之间架设有中心膜片，隔离部A的右端、隔离部B的左端分别设有隔离膜片，两侧的隔离膜片由中心膜片进行隔离，延伸部沿隔离部A的径向向后设置，延伸部内由前至后依次插设有定位塞、压差机构，延伸部后端设有连接机构。本发明的一种高稳硅差压传感器，双端受压的高稳硅，防止数据漂移；延长受压膜片寿命。

主权项：1.一种高稳硅差压传感器，其特征在于：包括：隔离机构1，所述隔离机构1由圆柱状的隔离部A11、圆筒状的延伸部12组成，所述隔离部A11包括：圆柱状的管仓110，所述管仓110的左端沿其轴线设置有凹槽A111，所述凹槽A111内设置有中心连管112、侧连管A113、贯穿管114，所述中心连管112凸出设置于凹槽A111的中央，所述贯穿管114沿管仓110的轴向贯穿设置；管仓110的右端沿其轴线凸出设置有容槽A116，所述容槽A116内设置有侧连管B117和贯穿的贯穿管114，容槽A116的边沿处设置有隔离膜片4；管仓110上设置有分别与侧连管A113、侧连管B117相连通的外壁连管119；所述延伸部12包括：圆筒状的延伸仓120，所述延伸仓120内壁的前部设置有内凹的过液环，延伸仓120的前端边缘处设置有内凹的连通槽121；隔离部A11的左端沿其轴向设置有隔离部B2，并在两者之间夹设有中心膜片3，所述中心膜片3设置为圆环状，其中心孔套设于凸出的中心连管112外，外边沿与管仓110、封盖20外壁共曲面；所述隔离部B2包括：与管仓110同轴设置的圆盘状封盖20，所述封盖20的左端其轴线凸出设置有容槽B21，所述容槽B21内设置有贯穿封盖20的管穿孔22，容槽B21的边沿处设置有隔离膜片4；封盖20的右端其轴线设置有凹槽B23，所述凹槽B23内设置有管穿孔22、容孔24，所述容孔24设置于凹槽B23的中央，并套设于凸出的中心连管112外，凹槽B23的中央设置有内凹的过液槽，所述过液槽贯穿容孔24设置；隔离部A11的右端、隔离部B2的左端分别设置有隔离膜片4，两侧的所述隔离膜片4由所述中心膜片3进行隔离，所述延伸部12沿隔离部A11的径向向后设置，延伸部12内由前至后依次插设有圆柱状的定位塞5、压差机构6，延伸部12后端设置有连接机构7；所述定位塞5上沿其轴向贯穿设置有通孔51；所述压差机构6，包括：圆筒状的烧结座60，所述烧结座60的中央设置有受压硅板61，烧结座60的外壁上设置有侧连孔63；烧结座60的前端面上设置有卡环64、注油管B65、引脚66。

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