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申请/专利权人：日铁化学材料株式会社

摘要：一种具有非热塑性聚酰亚胺层的聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板，构成非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺优选为相对于四羧酸残基的100摩尔份而合计包含80摩尔份以上的由3,3',4,4'‑联苯四羧酸二酐BPDA所衍生的BPDA残基及由1,4‑亚苯基双偏苯三甲酸单酯二酐TAHQ所衍生的TAHQ残基中的至少一种以及由均苯四甲酸二酐PMDA所衍生的PMDA残基及由2,3,6,7‑萘四羧酸二酐NTCDA所衍生的NTCDA残基中的至少一种，且优选为介电正切Df为0.004以下。通过以特定的酸酐作为原料来形成非热塑性聚酰亚胺层，可实现作为基质树脂层的物性的确保及低吸湿率化的并存，且可实现低介电正切化。

主权项：1.一种聚酰亚胺膜，其在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一面具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件a-i～条件a-iv：条件a-i：构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺的残基由芳香族四羧酸残基及芳香族二胺残基所组成，且相对于所述芳香族四羧酸残基的100摩尔份，由3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐BPDA所衍生的四羧酸残基，即BPDA残基及由1,4-亚苯基双偏苯三甲酸单酯二酐TAHQ所衍生的四羧酸残基，即TAHQ残基中的至少一种以及由均苯四甲酸二酐PMDA所衍生的四羧酸残基，即PMDA残基及2,3,6,7-萘四羧酸二酐NTCDA所衍生的四羧酸残基，即NTCDA残基中的至少一种的合计为80摩尔份以上，所述BPDA残基及所述TAHQ残基中的至少一种、与所述PMDA残基及所述NTCDA残基中的至少一种的摩尔比{BPDA残基+TAHQ残基PMDA残基+NTCDA残基}处于0.6～1.3的范围内；条件a-ii：构成所述热塑性聚酰亚胺层的热塑性聚酰亚胺为芳香族四羧酸残基及芳香族二胺残基，且相对于所述芳香族二胺残基的100摩尔份，由选自下述通式B1～通式B7表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物所衍生的二胺残基为70摩尔份以上，且由下述通式A1表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为1摩尔份以上且30摩尔份以下的范围内；条件a-iii：热膨胀系数为10ppmK～30ppmK的范围内；条件a-iv：10GHz下的介电正切Df为0.004以下， 式B1～式B7中，R1独立地表示碳数1～6的一价烃基或烷氧基，连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO2-、-COO-、-CH2-、-CCH32-、-NH-或-CONH-中的二价基，n1独立地表示0～4的整数；其中，自式B3中去除与式B2重复者，自式B5中去除与式B4重复者， 式A1中，连结基X表示单键或-COO-，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，n表示0～2的整数，p及q独立地表示0～4的整数。

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百度查询： 日铁化学材料株式会社 聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板