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申请/专利权人：X-FAB全球服务有限公司
摘要：一种光敏半导体结构包括：硅衬底中的pn结，所述pn结包括中心部分和围绕所述中心部分的边缘部分，所述边缘部分与所述硅衬底的表面接触；以及等离子体屏蔽结构，在所述边缘部分的至少一部分之上至少覆盖所述pn结的耗尽宽度，其中所述边缘部分与所述硅衬底的所述表面接触。
主权项：1.一种光敏半导体结构，包括：硅衬底中的pn结，所述pn结包括中心部分和围绕所述中心部分的边缘部分，所述边缘部分与所述硅衬底的表面接触，其中，所述硅衬底的所述表面包括沟槽，并且其中，所述边缘部分与所述沟槽接触；以及等离子体屏蔽结构，在所述边缘部分的至少一部分之上至少覆盖所述pn结的耗尽宽度，其中在所述边缘部分的所述一部分之处所述边缘部分与所述硅衬底的所述表面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： X-FAB全球服务有限公司 低暗计数率半导体结构
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