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申请/专利权人：塞梅孔公司

摘要：本发明涉及用于对基材40进行涂覆的方法、执行所述方法的涂覆系统和经涂覆体。在第一方法步骤62中，将基材40在离子蚀刻过程中进行预处理。在第二方法步骤64中，通过PVD过程在基材40上沉积厚度为0.1μm至6μm的第一涂覆层56a。为了实现特别高品质且耐用的涂层50，在第三方法步骤66中，通过离子蚀刻过程对第一涂覆层56a的表面进行处理，以及在第四方法步骤68中，通过PVD过程在第一涂覆层56a上沉积厚度为0.1μm至6μm的另外的涂覆层56b。所述经涂覆体包括在基材40上的至少两个厚度为0.1μm至6μm的涂覆层56a、56b、56c、56d，其中通过离子蚀刻形成的界面区域布置在涂覆层56a、56b、56c、56d之间。

主权项：1.一种用于对基材40进行涂覆的方法，其中-在第一方法步骤62中，将所述基材在离子蚀刻过程中进行预处理，-在第二方法步骤64中，使用施加至阴极24a、24b、24c、24d的HIPIMS脉冲通过HIPIMSPVD阴极溅射过程在所述基材40上沉积厚度为0.1μm至6μm的第一涂覆层56a，在以偏压脉冲向所述基材施加DC偏压的同时，进行所述HIPIMSPVD阴极溅射过程，所述偏压脉冲与所述HIPIMS脉冲在时间上同步，-在第三方法步骤66中，通过离子蚀刻过程对所述第一涂覆层56a的表面进行处理，-在第四方法步骤68中，通过所述HIPIMSPVD阴极溅射过程在所述第一涂覆层56a上沉积厚度为0.1μm至6μm的第二涂覆层56b，使得在下方的所述第一涂覆层56a与所述第一涂覆层56a上的所述第二涂覆层56b之间形成界面区域，-其中所述第二涂覆层56b的从上方邻接所述界面区域的结构比所述第一涂覆层56a的从下方邻接所述界面区域的结构更精细，-任选地，重复所述第三方法步骤66和所述第四方法步骤68一次或多次，通过所述HIPIMSPVD阴极溅射过程沉积一个或更多个厚度为0.1μm至6μm的另外的涂覆层56c、56d，-其中在彼此之上沉积的涂覆层的厚度总计为12μm至30μm，-在所述第一方法步骤62中，离子蚀刻预处理过程作为具有mf脉冲偏压的第一蚀刻子步骤和具有恒定DC偏压的第二蚀刻子步骤来进行。

全文数据：

权利要求：

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