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低温高品质的介电膜 

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申请/专利权人:应用材料公司

摘要:描述了沉积高密度介电膜以用于图案化应用的技术。更具体来说,提供了处理基板的方法。所述方法包括使含有前驱物的气体混合物流动到处理腔室的处理容积中,所述处理腔室具有在静电卡盘上定位的基板。将基板维持在约0.1毫托mTorr与约10托Torr之间的压力下。通过将第一RF偏压施加到静电卡盘以在基板水平处产生等离子体,而在基板上沉积介电膜。介电膜具有在约1.5至约3的范围中的折射率。

主权项:1.一种处理基板的方法,所述方法包括:使含有前驱物的气体混合物流动到处理腔室的处理容积中,所述处理腔室具有在静电卡盘上定位的基板;将所述基板维持在0.1mTorr与10Torr的范围中的压力并且在-50℃至150℃的范围中的温度下;以及通过将第一RF偏压施加到所述静电卡盘以在基板水平处产生等离子体,而在所述基板上沉积介电膜,所述介电膜在633nm下具有在1.5至3的范围中的折射率,其中所述介电膜包括下列的一种或多种:硅、氮化硅、碳化硅、氧化硅、碳氧化硅、氮碳氧化硅、氮氧化硅、氮化钛、或上述氧化物和氮化物的复合物。

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权利要求:

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