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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心;中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法。该碳化硅MOSFET功率器件包括特征沟槽，第一导电类型衬底、外延层、源区和电流扩展层，第二导电类型阱区。本发明通过特征沟槽进行离子注入以形成第一导电类型电流扩展层，于特征沟槽中填满栅介质，既可以明显减小导通电阻，又有效保护了栅介质，同时显著降低了器件的开关损耗。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。
主权项：1.一种碳化硅MOSFET功率器件，其特征在于，包括：漏极电极；第一导电类型衬底，位于所述漏极电极之上；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底之上；第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型外延层之中；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区之中；特征沟槽，位于所述第一导电类型外延层之中，位于所述第二导电类型阱区之间；所述第二导电类型阱区的深度小于特征沟槽的深度，且二者之差不小于0.1µm；第一导电类型电流扩展层，位于所述特征沟槽的侧壁及底部；栅介质层，位于所述特征沟槽之中以及第一导电类型外延层之上，栅介质层填满特征沟槽；栅极电极，位于所述栅介质层之上，栅极电极的边缘位于所述第一导电类型源区之上；隔离介质层，位于所述第一导电类型外延层之上，完全包围栅极电极；源极电极，位于所述隔离介质层的两侧及之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 南京第三代半导体技术创新中心 中国电子科技集团公司第五十五研究所 碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法
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