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申请/专利权人：瑞砻科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种低温磊晶成长的化学气相沉积仪，包括：一阳离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阳离子；一阴离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阴离子；一气相沉积室，具有一顶部、一底部以及一中空作用腔，该气相沉积室更形成有至少一导通上述阳离子预裂解腔室和该中空作用腔的阳离子通道、至少一导通上述阴离子预裂解腔室和该中空作用腔的阴离子通道以及驱使上述阳离子和上述阴离子朝向上述中空作用腔顶部方向移动的驱动装置；以及至少一设置于上述气相沉积室接近上述顶部的载台，供至少一片三维半导体晶材基板朝向上述中空作用腔设置于前述载台。
主权项：1.一种低温磊晶成长的化学气相沉积仪，其特征是，包括：一阳离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阳离子；一阴离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阴离子；一气相沉积室，具有一顶部、一相反于前述顶部的底部、以及介于前述顶部和底部间的中空作用腔，该气相沉积室更形成有至少一导通上述阳离子预裂解腔室和该中空作用腔的阳离子通道、至少一导通上述阴离子预裂解腔室和该中空作用腔的阴离子通道以及驱使上述阳离子和上述阴离子朝向上述中空作用腔顶部方向移动的驱动装置；以及至少一设置于上述气相沉积室接近上述顶部的载台，供至少一片三维半导体晶材基板朝向上述中空作用腔设置于前述载台。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞砻科技股份有限公司 低温磊晶成长的化学气相沉积仪
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