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申请/专利权人：东莞市志橙半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及碳化硅空心顶针制备的技术领域，公开了一种实体碳化硅空心顶针制备方法，本发明通过根据待制备的实体碳化硅空心顶针的结构信息设计对应的石墨模具，通过化学气相沉积法依次在石墨模具上覆盖式制备热解碳涂层与碳化硅涂层，之后通过氧化刻蚀法去除石墨模具和热解碳涂层，得到独立存在的碳化硅涂层，独立存在的碳化硅涂层即为待制备的实体碳化硅空心顶针，石墨模具能够确保实体碳化硅空心顶针的内孔成型的问题，同时热解碳涂层能够避免石墨与碳化硅的渗透，保证了顶针内孔洁净度，提升了顶针良品率，解决了现有技术中制备实体碳化硅空心顶针洁净度不足的问题。
主权项：1.一种实体碳化硅空心顶针制备方法，其特征在于，包括：获取待制备的实体碳化硅空心顶针的结构信息，并根据所述实体碳化硅空心顶针的结构信息设计对应的石墨模具；通过化学气相沉积法依次在所述石墨模具上覆盖式制备热解碳涂层与碳化硅涂层，以得到复合涂层石墨模具；将所述复合涂层石墨模具设置在高温氧气环境下，通过氧化刻蚀法去除所述复合涂层石墨模具中的石墨模具和热解碳涂层，得到独立存在的所述碳化硅涂层，独立存在的所述碳化硅涂层即为待制备的所述实体碳化硅空心顶针。
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权利要求：
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