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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种异质键合结构的制作方法，涉及半导体技术领域，以解决最终获得的异质键合结构界面处晶格失配严重，影响界面键合质量的问题。所述异质键合结构的制作方法包括：提供第一基底和第二基底；在第一基底上形成第一过渡层，以获得第一结构；第一过渡层和第一基底之间的晶格失配度小于或等于5％；在第二基底上形成第二过渡层，以获得第二结构；第二过渡层和第二基底之间的晶格失配度小于或等于5％；第一过渡层和第二过渡层之间的晶格失配度小于或等于5％；将第一结构所包括的第一过渡层和第二结构所包括的第二过渡层键合，以获得异质键合结构。
主权项：1.一种异质键合结构的制作方法，其特征在于，包括：提供第一基底和第二基底；在所述第一基底上形成第一过渡层，以获得第一结构；所述第一过渡层和所述第一基底之间的晶格失配度小于或等于5％；在所述第二基底上形成第二过渡层，以获得第二结构；所述第二过渡层和所述第二基底之间的晶格失配度小于或等于5％；所述第一过渡层和所述第二过渡层之间的晶格失配度小于或等于5％；将所述第一结构所包括的所述第一过渡层和所述第二结构所包括的所述第二过渡层键合，以获得异质键合结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种异质键合结构的制作方法
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