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申请/专利权人：上海新微半导体有限公司
摘要：本发明提供一种衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法，衬底脱氧方法包括：提供k个衬底，衬底表面形成有氧化层；对衬底进行脱氧；在脱氧过程中实时检测衬底的衍射条纹亮度，使得k个衬底以不同的衍射条纹亮度结束脱氧；k为大于或等于5的整数；采用分子束外延生长方法形成外延层于脱氧后的衬底上，以形成k个外延片；对外延片进行表面形貌表征测试，以获得k个外延片表面的缺陷密度；根据k个外延片的缺陷密度和k个衬底的衍射条纹亮度建立关系矩阵，以根据关系矩阵获得最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度，并将最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度作为待脱氧的衬底的脱氧完成点。本发明的技术方案使得能够准确判断衬底是否刚好脱氧完成。
主权项：1.一种衬底脱氧方法，其特征在于，包括：提供k个衬底，所述衬底表面形成有氧化层；对所述衬底进行脱氧，以去除所述衬底表面的氧化层；并且，在脱氧过程中实时检测所述衬底的衍射条纹亮度，使得k个所述衬底以不同的衍射条纹亮度结束脱氧；其中，k为大于或等于5的整数；采用分子束外延生长方法形成外延层于脱氧后的所述衬底上，以形成k个外延片；对所述外延片进行表面形貌表征测试，以获得k个所述外延片表面的缺陷密度；根据k个所述外延片的缺陷密度和k个所述衬底的衍射条纹亮度建立关系矩阵，以根据所述关系矩阵获得最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度，并将所述最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度作为待脱氧的衬底的脱氧完成点。
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权利要求：
百度查询： 上海新微半导体有限公司 衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法
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