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申请/专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种防止CIS晶圆级封装翘曲的结构及其制备方法，包括在晶圆表面涂覆光刻胶形成阻焊层；在涂有光刻胶的所述晶圆上放置光刻板，并进行曝光；将曝光后的晶圆放入显影液中显影后，烘烤固化形成具有切割凹槽的阻焊层；本申请能够使得CIS晶圆级封装产品翘曲几乎为0，在后续制程中翘曲不会发生改变，本申请在实现时只需将原焊盘的光刻板图纸做简单更改即可控制翘曲，可以达到完全消除翘曲的目的，而且产品经过回流焊后翘曲不会增加，适用于MVP、UT、MVP‑BSI、SingleTrench等多种结构CIS晶圆级封装，且效果好、操作方便、成本低，不会额外的增加成本，是解决CIS晶圆级封装过程中翘曲的优质选择。
主权项：1.一种防止CIS晶圆级封装翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆表面涂覆光刻胶形成阻焊层；在涂有光刻胶的所述晶圆上放置光刻板，基于光刻板的预设图形对涂有光刻胶的所述晶圆进行曝光；将曝光后的晶圆放入显影液中显影后，烘烤固化形成具有切割凹槽的阻焊层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海天成先进半导体科技有限公司 一种防止CIS晶圆级封装翘曲的结构及其制备方法
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