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申请/专利权人：紫光同芯微电子有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种基于SRAM的数据读改写方法、电路、芯片及车载终端。该方法包括：获取数据读改写请求，并确定数据读改写请求中的数据访问地址以及对应的目标数据；当数据缓存区中存在数据访问地址时，读取数据缓存区中与数据访问地址对应的第一原始数据；根据目标数据对第一原始数据进行改写，生成第一更新数据；将第一更新数据更新至SRAM以及数据缓存区中与数据访问地址对应的数据区。该方法通过在进行SRAM数据读改写时，从数据缓存区中读取原始数据，可节省在SRAM进行数据读取的时间开销，提升SRAM数据读改写访问速度。
主权项：1.一种基于SRAM的数据读改写方法，其特征在于，包括：获取数据读改写请求，并确定所述数据读改写请求中的数据访问地址以及对应的目标数据；当数据缓存区中存在所述数据访问地址时，读取所述数据缓存区中与所述数据访问地址对应的第一原始数据；根据所述目标数据对所述第一原始数据进行改写，生成第一更新数据；将所述第一更新数据更新至SRAM以及数据缓存区中与所述数据访问地址对应的数据区。
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百度查询： 紫光同芯微电子有限公司 基于SRAM的数据读改写方法、电路、芯片及车载终端
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