龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：厦门美日丰创光罩有限公司
摘要：本发明涉及一种均匀降低相转移光罩相位的方法，其通过Cl2O2或者HeO2等离子的物理轰击将相转移光罩的相位移层均匀地蚀刻薄一层，其在蚀刻时间较短的情况下，修正范围可大于4°，并且在蚀刻过程中能够均匀、可控地对主要图像区域MoSi层的相位偏转值进行修正，大大提高了相转移光罩的成品率。
主权项：1.一种均匀降低相转移光罩相位的方法，其是对相转移光罩的主要图像区域MoSi层的相位偏转值进行修正，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一相位偏转值偏差为正值的相转移光罩，相转移光罩上作为主要图像区域MoSi层裸露，非主要图像区域的MoSi层上覆盖有Cr层；进行涂布光阻、曝光、显影制程，以在Cr层在涂覆有光阻，而对应主要图像区域的MoSi层裸露；S2、利用Cl2O2等离子体或者HeO2等离子体的物理蚀刻能力对裸露的MoSi层进行蚀刻减薄，其中蚀刻速率为0.01-0.03°s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门美日丰创光罩有限公司 一种均匀降低相转移光罩相位的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号