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一种具有成分梯度的Cu2(CdxZn1-x)SnS4薄膜及其制备方法与应用 

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申请/专利权人:金陵科技学院

摘要:本发明公开了一种具有成分梯度的Cu2CdxZn1‑xSnS4薄膜及其制备方法与应用,采用化学溶液法制备Cu2ZnSnS4、Cu2CdSnS4纳米颗粒并制成Cu2ZnSnS4、Cu2CdSnS4纳米墨水;分别将Cu2ZnSnS4、Cu‑2CdSnS4纳米墨水涂敷在衬底上,从而制备出Cu2ZnSnS4、Cu2CdSnS4预制薄膜;最后在惰性气氛或硫气氛下退火制备高质量Cu2CdxZn1‑xSnS4薄膜。本发明所提供的低成本的化学法制备具有Cd梯度的Cu2CdxZn1‑xSnS4薄膜不需要昂贵的设备与原材料,且工艺稳定性好,控制好各工艺可以制备出具有优异光电性能的Cu2CdxZn1‑xSnS4薄膜,由该薄膜制备的光电器件性能进一步提升,为制备低成本且高效的Cu2CdxZn1‑xSnS4薄膜光电器件或光催化分解水的光电阳极奠定基础。

主权项:1.一种具有成分梯度的Cu2CdxZn1-xSnS4薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)采用超声清洗得到干净的衬底;(2)Cu2ZnSnS4、Cu2CdSnS4纳米颗粒的制备:利用含铜化合物作为铜源,含锌化合物作为锌源,含锡化合物作为锡源,含硫化合物作为硫源,聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂,将其依次溶解在第一有机溶剂中,采用微波液相合成法制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒;利用含铜化合物作为铜源,含镉化合物作为镉源,含锡化合物作为锡源,含硫化合物作为硫源,聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂,将其依次溶解在第一有机溶剂中,采用微波液相合成法制备Cu2CdSnS4纳米颗粒;(3)Cu2ZnSnS4、Cu2CdSnS4纳米墨水的配制:将所制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒和Cu2CdSnS4纳米颗粒分别分散到第二有机溶剂中,制成Cu2ZnSnS4纳米墨水和Cu2CdSnS4纳米墨水;(4)Cu2CdSnS4和Cu2ZnSnS4叠层结构预制薄膜的制备:采用旋涂法依次将所制备的Cu2ZnSnS4纳米墨水和Cu2CdSnS4纳米墨水涂敷到衬底上,形成具有Cu2CdSnS4和Cu2ZnSnS4叠层结构的预制薄膜;(5)退火处理:将步骤(4)得到的Cu2CdSnS4和Cu2ZnSnS4叠层结构预制薄膜在保护气氛下进行退火处理,即得;所述的Cu2CdxZn1-xSnS4薄膜中,x的取值范围为0<x<1。

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百度查询: 金陵科技学院 一种具有成分梯度的Cu2(CdxZn1-x)SnS4薄膜及其制备方法与应用

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