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申请/专利权人：无锡九域瑞芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体数据存储管理技术领域，具体公开了一种用于半导体存储的数据管理方法，用于解决存储器系统中逻辑块寻址数据访问在高并发和频繁写操作下，容易引发“写穿越”现象，多个进程或线程同时访问存储单元时新数据未及时刷新到存储介质导致读取旧数据，影响系统性能和可靠性的问题，包括初始化动态缓存映射表、多版本并发控制、延迟写入校正算法、缓存淘汰与一致性校验；本发明中动态缓存映射表根据访问模式动态调整，提高缓存命中率和访问速度，多版本并发控制防止“写穿越”，确保并发写操作下的数据一致性，延迟写入校正算法减少数据不一致风险，结合最近最少使用策略和一致性校验，增强了高负载和高并发场景下的性能和稳定性。
主权项：1.一种用于半导体存储的数据管理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，初始化动态缓存映射表：在系统初始化时，创建一个用于存储逻辑块地址到物理块地址映射的动态缓存映射表，这个动态缓存映射表随着访问模式的变化，基于每个物理块地址的最新监控数据，获取动态调整因子，以重新计算逻辑块地址到物理块地址的映射，映射函数为： ；式中：为逻辑块地址，为逻辑块地址的映射函数值，为逻辑块地址对应的物理块地址，为动态调整因子，通过计算获得，为当前时间戳；步骤2，多版本并发控制：在进行数据写入时，引入多版本并发控制，允许在进行写操作时，同时保留旧版本数据；步骤3，延迟写入校正算法：采用延迟写入校正算法，通过延迟将数据从缓存写入存储介质，并在延迟期间对数据进行校正和校验；步骤4，缓存淘汰与一致性校验：采用最近最少使用策略进行缓存淘汰，并在淘汰前进行一致性校验。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡九域瑞芯科技有限公司 一种用于半导体存储的数据管理方法
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