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一种湿法氧化覆铜陶瓷基板的制备方法 

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申请/专利权人:宁波江丰同芯半导体材料有限公司

摘要:本发明提供了一种湿法氧化覆铜陶瓷基板的制备方法,所述制备方法包括将铜片依次进行退火处理、清洗处理和预弯处理后,得到预弯铜片,将所述预弯铜片放置于载具中,向所述载具内添加氧化液进行氧化处理,得到氧化铜片,将所述氧化铜片放置于瓷片表面进行烧结,得到覆铜陶瓷基板;其中,所述氧化液为高锰酸钾氧化液,且高锰酸钾氧化液的浓度为3~5%。本发明中通过对覆铜陶瓷基板的制备方法的具体设计,采用湿法氧化铜片的方式,为后续制备覆铜陶瓷基板打下基础,整体改善铜基板的表面,提升产品烧结良率,降低生产成本,可以满足不同的晶粒和粗糙度的需求。

主权项:1.一种湿法氧化覆铜陶瓷基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:将铜片依次进行退火处理、清洗处理和预弯处理后,得到预弯铜片;将所述预弯铜片放置于载具中,向所述载具内添加氧化液进行氧化处理,得到氧化铜片;将所述氧化铜片放置于瓷片表面进行烧结,得到覆铜陶瓷基板;其中,所述氧化液为高锰酸钾氧化液,且高锰酸钾氧化液的浓度为3~5%。

全文数据:

权利要求:

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