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静电防护装置、静电防护半导体器件及静电防护方法 

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申请/专利权人:杰华特微电子股份有限公司

摘要:本申请公开了一种静电防护装置、静电防护半导体器件及静电防护方法,静电防护装置连接在芯片的引脚上,包括:静电防护半导体器件,其漏极连接引脚,泄放引脚上的电流,源极连接参考地;以及比较电路,连接在引脚和静电防护半导体器件的栅极之间,获取引脚上的电压得到电压信号,将电压信号与负电压的参考信号进行比较,根据比较结果控制静电防护半导体器件的导通状态。当电压信号小于参考信号时,比较电路控制静电防护半导体器件的源极和漏极之间的沟道打开。从而在芯片的引脚遭受负电流冲击时,不仅可以通过静电防护半导体器件内部的寄生结构分担电流,还可以由源极和漏极之间的沟道分担电流,加强对芯片的保护,提升ESD防护性能和抗闩锁性能。

主权项:1.一种静电防护装置,连接在芯片的引脚上,其中,所述静电防护装置包括:静电防护半导体器件,用于泄放所述引脚上产生的电流,包括源极、漏极和栅极,所述漏极连接所述引脚,所述源极连接参考地;以及比较电路,连接在所述引脚和所述静电防护半导体器件的栅极之间,获取引脚上的电压得到电压信号,将所述电压信号与参考信号进行比较,根据比较结果控制所述静电防护半导体器件的导通状态,其中,当所述电压信号小于所述参考信号时,表征所述引脚上产生的负电流达到阈值电流,所述比较电路控制所述静电防护半导体器件的源极和漏极之间的沟道打开,所述参考信号为负电压。

全文数据:

权利要求:

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