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申请/专利权人：株式会社日立高新技术
摘要：本发明是一种使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法，其特征在于，具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积到所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻。
主权项：1.一种等离子处理方法，使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻，所述等离子处理方法具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，同时利用使用含硼元素气体和含氮元素气体的混合气体而生成的等离子，使含有硼元素的沉积膜沉积于所述掩模；除去工序，在所述沉积工序之后，在残留第1区域以及第2区域中的所述掩模的侧壁的所述沉积膜的同时，通过等离子来除去沉积在所述第2区域的所述被蚀刻膜上的沉积膜，以及蚀刻工序，在所述除去工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻，所述第1区域的图案密度比所述第2区域的图案密度高。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子处理方法
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