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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在实施例中，一种半导体装置的形成方法包括：在基板上方形成多个鳍片，多个鳍片包含：相邻于隔离区的第一半导体鳍片；以及嵌入隔离区中的介电鳍片；在第一半导体鳍片的第一表面、介电鳍片的第二表面、及隔离区的第三表面上方沉积硅层；在硅层上方形成氧化物层；移除氧化物层及硅层的一部分以曝光介电鳍片的第二表面；在氧化物层的剩余部分上方且在多个鳍片之间形成虚设栅极；在第一半导体鳍片中形成第一磊晶区；以及用栅极结构替换虚设栅极。
主权项：1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：在一基板上方形成多个鳍片，所述多个鳍片包含：一第一半导体鳍片，相邻于一隔离区；及一介电鳍片，嵌入该隔离区中；在该第一半导体鳍片的一第一表面、该介电鳍片的一第二表面、及该隔离区的一第三表面上方沉积一硅层；在该硅层上方形成一氧化物层；移除该氧化物层及该硅层的一部分以曝光该介电鳍片的该第二表面；在该氧化物层的一剩余部分上方且在所述多个鳍片之间形成一虚设栅极；在该第一半导体鳍片中形成一第一磊晶区；及用一栅极结构替换该虚设栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的形成方法
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