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申请/专利权人：安徽蓝讯通信科技有限公司
摘要：本发明公开了一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括步骤：制备混合浆料，将含有分散剂的溶剂加入在搅拌磨中，再加入混合粉体进行球磨，再加入粘结剂和增塑剂进行球磨，得到混合浆料；其中，混合粉体包括硅粉；脱泡处理，在0.1MPa～1MPa真空度下，将混合浆料脱泡5min～60min，得到脱泡浆料；制备氮化硅基片坯体，将脱泡浆料导入流延机，调整流延速度为0.02mmin～1.0mmin，将加热温度在25℃～80℃之间设置多级梯度，流延成型得到厚度在0.2mm～0.3mm的氮化硅生坯带，将氮化硅生坯带切割、叠层，得到氮化硅基片坯体；氮化烧结处理，将氮化硅基片坯体依次进行氮化处理和烧结处理，得到氮化硅陶瓷基片。本发明采用硅粉为原料,优化球磨时间和加料顺序，得到的氮化硅陶瓷基片具有高热导率和高致密度。
主权项：1.一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法，其特征在于，包括步骤：制备混合浆料，将含有分散剂的溶剂加入在搅拌磨中，再加入混合粉体，进行球磨3h～24h，再加入粘结剂和增塑剂进行球磨3h～24h，从而得到混合浆料；其中，所述混合粉体包括硅粉和烧结助剂，所述烧结助剂为氧化镁、氧化钇、氧化钛、氧化镝和氧化铒中的至少一种；脱泡处理，在0.1MPa～1MPa真空度下，将所述混合浆料脱泡5min～60min，得到脱泡浆料；制备氮化硅基片坯体，将所述脱泡浆料导入流延机，调整所述脱泡浆料的流延速度为0.02mmin～1.0mmin，将加热温度在25℃～80℃之间设置多级梯度，流延成型得到厚度在0.2mm～0.3mm的氮化硅生坯带，将所述氮化硅生坯带切割、叠层，得到氮化硅基片坯体；氮化烧结处理，将所述氮化硅基片坯体依次进行氮化处理和烧结处理，得到氮化硅陶瓷基片。
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百度查询： 安徽蓝讯通信科技有限公司 一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法
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