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申请/专利权人：深圳市华扬通信技术有限公司
摘要：本发明涉及电子材料技术领域，特别涉及一种低温烧结高介旋磁铁氧体材料及其制备方法。该低温烧结高介旋磁铁氧体材料，分子式为Bi1.45Ti0.1Y1.55‑2x‑yCa2x+yVxZry‑0.1Fe5‑y‑xO12，其中x为0.6～0.65，y为0.25～0.35，1.55‑2x‑y≥0。本发明提供的制备方法不仅能实现900℃低温烧结，而且可与LTCC工艺的银电极实现很好的共烧兼容。
主权项：1.一种低温烧结高介旋磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：以Bi2O3、Y2O3、TiO2、CaCO3、V2O5、ZrO2和Fe2O3为初始原料，按照旋磁铁氧体材料的分子式依次进行配料、混料、球磨、烘干和预烧，得到预烧料；所述分子式为Bi1.45Ti0.1Y1.55-2x-yCa2x+yVxZry-0.1Fe5-y-xO12，其中x为0.6~0.65，y为0.25~0.35，1.55-2x-y≥0；S2：将预烧料进行粗粉粹后，加入BBSZ玻璃和MoO3进行再次球磨后烘干，得到再次烘干料；S3：将再次烘干料依次进行造粒、压制成型和烧结，得到旋磁铁氧体材料；所述烧结时的具体步骤为：以2~3℃min升温至150~200℃保温1~2h后排水，再以2~3℃min升温至500~600℃保温2~4h后排胶，最后以2~3℃min升温至900℃保温4~6h，冷却后完成烧结；所述BBSZ玻璃的添加量为预烧料重量的0.2~0.3wt%；所述BBSZ玻璃与MoO3的重量比为2~3：1；所述BBSZ玻璃的制备方法为：以摩尔分数计，称取27%Bi2O3、35%H3BO3、6%SiO2和32%ZnO原料，加去离子水球磨混合均匀后烘干，然后升温至950~1050℃下保温1h后倒入去离子水中进行快淬，将快淬后得到的玻璃渣球磨至粒度2~3um后烘干得到BBSZ玻璃。
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权利要求：
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