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AgNWs/rGO/TPU柔性应变传感器及其制备方法 

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申请/专利权人:浙江理工大学

摘要:本发明公开了一种AgNWsrGOTPU柔性应变传感器,其制备方法为包括如下步骤:将聚氨酯溶液静电纺,得到TPU静电纺薄膜;将AgNWsGO混合分散液加入到溶剂ⅡNH3·H2ON2H4·H2O的混合溶液中,于90~100℃进行还原反应,而后将所得的固相AgNWsrGO分散在溶剂中;将所得的AgNWsrGO溶剂分散液涂覆到TPU静电纺薄膜的表面,将所得的AgNWsrGOTPU应变感应材料制备成AgNWsrGOTPU柔性应变传感器。本发明制备的柔性应变传感器,耐用性高、应变范围广、灵敏度高,可灵活、方便地贴附于各种形状物体的表面,质量轻且具有较强的环境适用性。

主权项:1.AgNWsrGOTPU柔性应变传感器的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1、将聚氨酯溶解于溶剂I,得聚氨酯溶液;再将聚氨酯溶液静电纺,得到TPU静电纺薄膜;溶剂I为N,N-二甲基甲酰胺;2、设定AgNWs:GO=1:1的质量比,设定水合肼:GO=7:10的质量比;然后进行如下步骤:2.1、将AgNWs分散液加入到GO分散液中,搅拌均匀,得到AgNWsGO混合分散液;所述GO分散液为氧化石墨烯分散于溶剂II中所得;所述AgNWs分散液为银纳米线分散于溶剂III中所得;2.2、将溶剂II、氨水和水合肼混合,搅拌均匀,得到溶剂IINH3·H2ON2H4·H2O混合溶液;氨水:步骤2.1GO分散液所用溶剂II+步骤2.2所用溶剂II=6±0.5%的体积比;2.3、将上述AgNWsGO混合分散液加入到溶剂IINH3·H2ON2H4·H2O的混合溶液中,于90~100℃的温度进行还原反应,从而还原GO,还原反应时间为10~30min;静置冷却至室温,随后离心固液分离,固相为AgNWsrGO,将其分散在溶剂III中,得到AgNWsrGO溶剂分散液;所述AgNWsrGO溶剂分散液中AgNWsrGO的质量分数为0.5wt%;溶剂II为N,N-二甲基甲酰胺;溶剂III为乙醇;3、将AgNWsrGO溶剂分散液涂覆到TPU静电纺薄膜的表面,湿膜晾干后形成涂膜层;所得命名为AgNWsrGOTPU应变感应材料;湿膜厚度为0.25±0.05mm;4、将AgNWsrGOTPU应变感应材料制备成AgNWsrGOTPU柔性应变传感器;所述步骤1中:聚氨酯溶液的质量分数为10wt%~20wt%;所述静电纺过程中静电纺温度为30℃,湿度为80~85%,电压为20kV,转速为1000rmin,注射速度为1.5mLh,静电纺时间为6-8h;所述步骤4为:在AgNWsrGOTPU应变感应材料的涂膜层上设置铜箔金属电极,并引出导线,再采用绝缘柔性封装材料封装成三明治结构,得到AgNWsrGOTPU柔性应变传感器。

全文数据:

权利要求:

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