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申请/专利权人：杭州电子科技大学

摘要：本发明公开了一种基于真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转分析方法，包括：S11.建立真空和手征原子媒质分界面的模型；S12.确定电磁波在真空和手征原子媒质分界面的电磁特性；S13.确定边界条件和初始条件；S14.根据边界和初始条件计算传输矩阵；S15.根据传输矩阵计算电磁波从真空入射到手征原子媒质分界面的反射系数；S16.分析真空和手征原子媒质分界面模型下的反射波极化偏转率和反射光相位差，得到真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转的特性。本发明根据极化偏转率分析真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转的方法，能准确地分析真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转特性。

主权项：1.基于真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转分析方法，其特征在于，包括：S1.建立真空和手征原子媒质分界面的模型；S2.确定电磁波在真空和手征原子媒质分界面的电磁特性；S3.确定边界条件和初始条件；S4.根据边界和初始条件计算传输矩阵；S5.根据传输矩阵计算电磁波从真空入射到手征原子媒质分界面的反射系数；S6.分析真空和手征原子媒质分界面模型下的反射波极化偏转率和反射光相位差，得到真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转的特性；步骤S1具体为：探测光斜入射真空和手征原子媒质分界面，控制场作用在原子媒质中，x轴上半部分为真空，对应的介电常数、磁导率分别为ε1,μ1；x轴下半部分为原子气体，所述原子气体为手征原子媒质，对应的介电常数和磁导率为εc,μc，手征系数为κEH，κHE；步骤S2中确定电磁波在真空和手征原子媒质分界面的电磁特性，表示为： D＝ε1E+PB＝μ1H+M其中，ε1和μ1分别表示真空中的介电常数和磁导率；εc,μc分别表示手征原子媒质的介电常数和磁导率系数；D表示电位移矢量；B表示磁感应强度；步骤S3确定初始条件，表示为：真空ε1,μ1中入射、反射的电场和磁场分量为： 手征原子媒质中透射的电场和磁场分量为： 其中，Ei表示入射电场强度；Hi表示入射磁场强度；Er表示反射电场强度；Hr表示反射磁场强度；Et表示透射电场强度；Ht表示透射磁场强度；步骤S3中确定边界条件，表示为： 步骤S4中根据边界和初始条件计算传输矩阵，表示为： 步骤S5具体为：根据入射光与反射光之间的关系，得到反射系数，表示为： 根据公式9、公式10，得到： 其中，Δ＝m11m22-m12m21，ri,j中第i表示反射光偏振模式，j表示入射光偏振模式；根据公式10、11得到反射矩阵为： 其中： 其中，rss表示s波入射s波反射的反射系数；rps表示s波入射p波反射的反射系数；rsp表示p波入射s波反射的反射系数；rpp表示p波入射s波反射的反射系数。

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