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申请/专利权人：亚玛顿(石家庄)新材料有限公司
摘要：本发明公开一种高吸收率的薄膜电池组件及其制作方法，包括层叠的前玻、钙钛矿电池层、封装层及背玻；钙钛矿电池层包括第一透明导电层、第一传输层、钙钛矿吸收层、缓冲层、第二传输层及第二透明导电层；第一透明导电层设于前玻入光面的相对侧其折射率为1.7～1.85；钙钛矿吸收层折射率为2.5～2.7；第一透明导电层厚度设为160～170nm，钙钛矿吸收层厚度为500～650nm；第一透明导电层厚度设为171～200nm，钙钛矿吸收层厚度为400～600nm；第一透明导电层厚度设为201～210nm，钙钛矿吸收层厚度为500～750nm；第一透明导电层厚度设为211～220nm，钙钛矿吸收层厚度为600～850nm。
主权项：1.一种高吸收率的薄膜电池组件，其特征在于，所述的薄膜电池组件包括依次层叠设置的前玻1、钙钛矿电池层2、封装层3以及背玻4，且所述的钙钛矿电池层2层叠设置于所述前玻1入光面的相对侧；所述薄膜电池组件的吸收率＞90％；所述的钙钛矿电池层2由第一透明导电层21、第一传输层22、钙钛矿吸收层23、缓冲层24、第二传输层25以及第二透明导电层26依次层叠而成；所述的第一透明导电层21设置于所述前玻1入光面的相对侧，所述第一透明导电层21的折射率设置为1.7～1.85；所述钙钛矿吸收层23的折射率设置为2.5～2.7；其中，所述第一透明导电层21的厚度设置为160～170nm时，所述钙钛矿吸收层23的厚度设置为500～650nm；所述第一透明导电层21的厚度设置为171～200nm时，所述钙钛矿吸收层23的厚度设置为400～600nm；所述第一透明导电层21的厚度设置为201～210nm时，所述钙钛矿吸收层23的厚度设置为500～750nm；所述第一透明导电层21的厚度设置为211～220nm时，所述钙钛矿吸收层23的厚度设置为600～850nm。
全文数据：
权利要求：
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