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申请/专利权人：晶源半导体材料科技(沈阳)有限公司
摘要：本实用新型公开一种基片辅助加热机构及热丝CVD金刚石设备，涉及半导体镀膜设备技术领域，来解决基片在加热过程中能源浪费以及设备内能源利用率低的问题，包括镀膜腔室、气盘、热丝机构和基片辅助加热机构；所述基片辅助加热机构的基台的第一表面朝向所述镀膜腔室的顶部；所述气盘环绕在镀膜腔室的内腔顶部，且与所述基片辅助加热机构位置相对应；所述热丝机构包括多个以间隙排列方式架设在所述气盘与所述基台之间的热丝。本实用新型的辅助加热机构用于收集热丝通电后产生的光热，以直接或间接的方式对换热室进行直接加热或间接导热，进而对基片的底部进行辅助加热。
主权项：1.一种基片辅助加热机构，应用于热丝CVD金刚石设备，所述热丝CVD金刚石设备具有镀膜腔室以及架设在所述镀膜腔室内的热丝，所述基片辅助加热机构安装在所述镀膜腔室的内腔底部，所述热丝位于所述基片辅助加热机构的上方，其特征在于，包括：基台，所述基台具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述第一表面用于承载基片，所述第二表面具有换热室，所述换热室用于调节所述基台的温度，所述换热室内具有导热介质；罩体组件，所述罩体组件位于所述换热室的下方，所述罩体组件收集热丝通电后产生的光热对所述换热室进行加热，所述换热室将热量传导至所述基台对所述基片进行辅助加热。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶源半导体材料科技(沈阳)有限公司 一种基片辅助加热机构及热丝CVD金刚石设备
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