买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：黑龙江大学

摘要：本发明提供了基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件，其发光层客体材料为金簇配合物和金银簇配合物。该金属簇配合物热稳定性好，由其作为客体发光材料，实现了电致发光器件的深蓝色发光，具有良好的发光性能和综合性能。

主权项：1.一种基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述器件的发光层客体材料为[OAuPPh2py3]BF4或[OAuPPh2py3]BF4和[OAuPPh2py3Ag]BF42，所述发光层材料中，客体材料的质量分数为0.3%-0.9%，所述基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件还包括衬底层、导电阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极导电层，所述空穴注入层材料为钼的氧化物，空穴注入层厚度为2~20nm，所述发光层的主体材料为二[2-氧代二苯基膦基苯基]醚，所述发光层蒸镀厚度为10-50nm，所述空穴传输层材料为N,N'-二苯基-N,N'-1-萘基-1,1'-联苯-4,4'-二胺，空穴传输层厚度为20-80nm，所述电子阻挡层材料为9,9'-1,3-苯基二-9H-咔唑，电子阻挡层厚度为1-20nm，所述空穴阻挡层材料为二[2-氧代二苯基膦基苯基]醚，空穴阻挡层厚度为3-12nm，所述电子传输层材料为4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，电子传输层厚度为20-75nm，所述电子注入层材料为LiF，电子注入层厚度为1-2nm，所述方法包括以下步骤：一、制备导电阳极层；二、制备空穴注入层，在阳极导电层上进行蒸镀空穴注入层；三、制备空穴传输层，在空穴注入层上进行蒸镀空穴传输层；四、制备电子阻挡层，所述电子阻挡层在空穴传输层上进行蒸镀；五、制备发光层，所述发光层在电子阻挡层上进行蒸镀；六、制备空穴阻挡层，所述空穴阻挡层在发光层上进行蒸镀；七、制备电子传输层，所述电子传输层在空穴阻挡层上进行蒸镀；八、制备电子注入层，所述电子注入层在电子传输层上进行蒸镀；九、制备阴极导电层，封装，得到热激发延迟荧光电致发光器件，所述阴极导电层在电子注入层上蒸镀，所述基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件的电致发光光谱峰值为430-450nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 黑龙江大学 基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件及其制备方法