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申请/专利权人：成都铭科思微电子技术有限责任公司
摘要：本发明涉及集成电路技术、推挽式运放电路技术等领域，公开了一种用于增大推挽式运放输出摆幅的电路，包括电路A，推挽式运放、共模负反馈电路和电流偏置电路所构成的电路B，还包括相互连接的至少一级电路C和电路D；电路C包括第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管，推挽式运放中P沟道场效应输入管的衬底电位和N沟道场效应输入管的衬底电位皆由电路D生成，第八场效应管的衬底电位、第九场效应管的衬底电位亦由电路D生成，在采用传统接法的推挽式运放作为输出级的两级运放电路的基础上进行改进，起到使得整个电路的最大输出摆幅不受工艺限制，能够继续增大的效果。
主权项：1.一种用于增大推挽式运放输出摆幅的电路，包括电路A，推挽式运放、共模负反馈电路（3）和电流偏置电路（4）所构成的电路B，其特征在于：还包括相互连接的至少一级电路C和电路D，所述电路B中第一场效应管的栅极和第六场效应管的栅极皆与电路C相连接；所述电路C包括第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管，所述第七场效应管的源极和衬底共接且接电源电压Vdd，第七场效应管的栅极接入第一场效应管的栅极，第七场效应管的漏极接第八场效应管的源极且接入电路D，第八场效应管的栅极和漏极共接且接第九场效应管的漏极，第九场效应管的漏极与栅极共接且接入电路D，第九场效应管的源极接第十场效应管的漏极，第十场效应管的衬底与源极共接且接地电平Gnd，第十场效应管的栅极接入第六场效应管的栅极；所述推挽式运放中P沟道场效应输入管的衬底电位和N沟道场效应输入管的衬底电位皆由电路D生成，第八场效应管的衬底电位、第九场效应管的衬底电位亦由电路D生成。
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