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申请/专利权人：上海芯炽科技集团有限公司
摘要：本发明公开一种提高可存储器件良率的方法，属于存储器件领域。通过可存储器件外围电路，将可存储器件的物理地址根据一定的规则匹配为面向用户的逻辑地址，用户在使用时只需要使用逻辑地址；在生产过程中，如果可存储器件的某些物理空间发生损坏，对应的物理地址与逻辑地址的匹配关系发生改变，使得用户在使用时无感避开异常问题。可存储器件在制作过程中，倘若发生损坏，只要不是损坏数目记录区与损坏地址记录区发生损坏，且损坏的数目不超过备用区的长度，则均可以避免被宰掉，从而提高了良率。
主权项：1.一种提高可存储器件良率的方法，其特征在于，包括：通过可存储器件外围电路，将可存储器件的物理地址根据一定的规则匹配为面向用户的逻辑地址，用户在使用时只需要使用逻辑地址；在生产过程中，如果可存储器件的某些物理空间发生损坏，对应的物理地址与逻辑地址的匹配关系发生改变，使得用户在使用时无感避开异常问题；所述可存储器件包括4块物理区域，其物理地址规划如下：损坏数目记录区：记录该可存储器件生产中造成损坏的物理地址数目；损坏地址记录区：记录损坏的物理地址；数据存储区：存储用户使用的数据，所述数据存储区和逻辑地址块相对应，逻辑地址块是开放给用户使用的地址，用户写入逻辑地址中的数据，实际上会填入数据存储区中；备用区：备用的物理地址；对于一次性可编程存储器，其工作流程如下：在产测阶段，用户先检测各个物理空间是否正确；如果检测到物理空间损坏，将相应的物理地址依次填写进损坏地址记录区，并在检测结束后将总计的物理空间损坏数目填写到损坏数目记录区中；产测结束后，可存储器件外围电路根据填写的损坏地址记录区和损坏数目记录区的内容，确定在匹配物理地址与逻辑地址时需要避开的损坏地址，同时备用区的物理地址会取代损坏的地址。
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百度查询： 上海芯炽科技集团有限公司 一种提高可存储器件良率的方法
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