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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种III族氮化物半导体发光元件。该III族氮化物半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，所述有源层为抑制电子溢流量子阱，所述抑制电子溢流量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述抑制电子溢流量子阱包括第一抑制电子溢流量子阱和第二抑制电子溢流量子阱；该III族氮化物半导体发光元件，通过调控抑制电子溢流量子阱空穴迁移率和电子迁移率的平衡，增强量子阱中电子和空穴波函数的量子限制效应，提升量子阱中电子和空穴的辐射复合效率和速率，减少多余电子溢流效应，提升发光元件在大电流注入下的发光效率，降低大电流注入下的效率衰减和高温条件下的热衰减。
主权项：1.一种III族氮化物半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，其特征在于，所述有源层为抑制电子溢流量子阱，所述抑制电子溢流量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述抑制电子溢流量子阱包括第一抑制电子溢流量子阱和第二抑制电子溢流量子阱；所述第一抑制电子溢流量子阱的空穴迁移率的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为β，所述第一抑制电子溢流量子阱的价带有效态密度的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为γ，所述第一抑制电子溢流量子阱的轻空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为θ，所述第一抑制电子溢流量子阱的重空穴有效质量的峰值位置往n型半导体方向的上升角度为ψ，其中：ψ≤θ≤γ≤β；所述第二抑制电子溢流量子阱的空穴迁移率的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为δ，所述第二抑制电子溢流量子阱的价带有效态密度的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为ε，所述第二抑制电子溢流量子阱的轻空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为η，所述第二抑制电子溢流量子阱的重空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为μ，其中：μ≤η≤ε≤δ，所述角度为为曲线的切线倾斜角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种III族氮化物半导体发光元件
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