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申请/专利权人：北京信息科技大学
摘要：本发明涉及一种前驱体晶格嵌入式掺杂二维材料的化合物薄膜制备方法，属于柔性电子领域。本发明公开的一种晶格嵌入式掺杂二维材料的单步卷对卷的制造技术，以制备具有较大的比面积容量和超高的能量密度微型超级电容器。通激光直写技术，诱导碳前驱体改性成石墨烯材料的同时实现分层二维MXene在亚晶格尺度上掺杂进石墨烯晶格中，实现化学和物理性质的混合掺杂，使得材料电学性能的显著提高，并成功制造具有超高能量密度的微型超级电容器。
主权项：1.前驱体晶格嵌入式掺杂二维材料的化合物薄膜制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、使用刻蚀剂对MAX材料进行分层，得到单层MXene分散液；所述刻蚀剂包括：二甲亚砜、氢氟酸HF、盐酸HCl与氟化锂LiF的混合体系、氯化铵NH4Cl和氟化钠NaF；所述刻蚀剂使用量根据所用的刻蚀剂类型以及所要刻蚀的MAX相材料的性质有所不同，氢氟酸HF浓度为10-50％，使用量为10-50mLgMAX材料；氟化锂LiF和盐酸HCl混合溶液，LiF的浓度为0.1-2M，HCl的浓度为6-12M，使用量比例为0.5-1gLiF和50-100mLHCl溶液来刻蚀1g的MAX相材料；HF和HCL的混合酸使用浓度为氢氟酸HF10-20％和盐酸HCl2-6M，使用量为20-40mL混合酸gMAX材料；步骤二、将步骤一得到的分散液旋涂在PI薄膜表面；退火，去除溶剂，得到具有单层二维材料MXene涂层的薄膜材料；所述PI薄膜包括：聚酰亚胺PI、聚二甲基硅氧烷PDMS、聚乙烯醇薄膜PVA、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；步骤三、利用532nm波长的二极管泵浦Nd:YAG激光加工步骤二中得到的薄膜材料，得到了具有二维材料晶格嵌入式掺杂的MXene-LIG杂化材料。
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百度查询： 北京信息科技大学 前驱体晶格嵌入式掺杂二维材料的化合物薄膜制备方法
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