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申请/专利权人：西安工程大学
摘要：本发明公开的正面照射式单光子成像的多像素光子计数器及其制造方法，包括衬底及其上方依次设置的外延层和金属网格层，外延层上对应金属网格层的开口区域阵列设置有若干第一富掺杂区，其上方共同设置有与其形成PN结且连接至金属网格层的第二富掺杂区，衬底内对应若干第一富掺杂区间隔区域通过开设隔离沟槽形成有阵列设置的若干柱状结构，其底端分别通过电极共同连接有信号读出电路。本发明中雪崩电流脉冲通过G‑APD单元下方衬底的柱状结构传输至信号读出电路，实现了正面入射模拟型MPPC的单光子探测与成像。由于探测器芯片表面无需电路结构与淬灭电阻，不占用面积，因此实现了高的填充因子，从而提高了探测器的探测效率。
主权项：1.正面照射式单光子成像的多像素光子计数器，其特征在于，包括衬底，衬底上方依次设置有外延层和金属网格层，外延层上对应金属网格层的开口区域阵列设置有若干第一富掺杂区，若干第一富掺杂区上方共同设置有与其形成PN结且连接至金属网格层的第二富掺杂区，衬底内对应若干第一富掺杂区间隔区域通过开设隔离沟槽形成有阵列设置的若干柱状结构，若干柱状结构的底端分别通过电极共同连接有信号读出电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 正面照射式单光子成像的多像素光子计数器及其制造方法
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